重庆理工大学获两项国际发明专利授权

      本报讯 （记者 李星婷）4月13日，市教委发布消息，重庆理工大学日前在日本获得两项国际发明专利授权。这两项纳米级的精度测量专利，对提高高端制造装备的精密技术有极大帮助。
      据悉，重庆理工大学通过PCT（Patent Cooperation Treaty）途径申请、在日本获得授权的这两项国际发明专利，为“电场式时栅角位移传感器”和“基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器”。
      这是重庆理工大学机械工程学院刘小康、彭东林教授带领的研究团队，在2011年针对高档数控机床、极大规模集成电路专用设备和国防军工等领域，提出“利用时间上的时刻比较来实现位移测量”，即利用时间尺度提高空间尺度的测量精度和分辨力，研发出可分别实现角度、长度精密测量的“纳米时栅位移传感器”。该产品突破了目前纳米测量技术国际领域普遍存在的几个基础性共性难题，对提高精密高端制造装备的工艺技术有极大帮助。
      “国际PCT发明专利是专利领域的一项国际合作条约。”刘小康教授表示，此次授权为今后产品的产业化和国际化打下了良好基础。